Νέες δίοδοι Schottky WEEN SEMICONDUCTORS με τεχνολογία SiC

Νέες δίοδοι Schottky WEEN SEMICONDUCTORS με τεχνολογία SiC

Νέες δίοδοι Schottky WEEN SEMICONDUCTORS με τεχνολογία SiC

 

Νέες δίοδοι Schottky WEEN SEMICONDUCTORS με τεχνολογία SiC

Νέα σειρά διόδων ανόρθωσης Schottky.
Παραγόμενες από την εταιρεία WEEN SEMICONDUCTORS (παλιότερα NXP) οι δίοδοι κατασκευάζονται με την νεότερη τεχνολογία καρβιδίου του πυριτίου (SiC).
Βρίσκουν εφαρμογή σε συστήματα τροφοδοσίας που βασίζονται σε υψηλές συχνότητες μεταγωγής (τροφοδοτικά, μετατροπείς, UPS, κλπ).

Οι νέες δίοδοι χαρακτηρίζονται από:

υψηλή σταθερότητα μεταγωγής,
εκπληκτικά μικρό χρόνο μεταγωγής,
μεγαλύτερη αποδοτικότητα αναλογικά με την κλασική τεχνολογία πυριτίου,
λιγότερη εκπομπή παρεμβολών (EMI).

Μέγιστη αντίστροφη τάση: 650V
Μέγιστη θερμοκρασία σύνδεσης: 175°C
Τεχνολογία κατασκευής: SiC
Συναρμολόγηση: SMD